Pe fuente de luz LED ypykue, oipurúva principio emiso de luz-tesape peteĩ junción semiconductor P-N rehegua, oñeinventa ary 1960 ñepyrũme. Pe mba e ojeporúva upe jave ha e GaAsP, osẽva tesape pytã (λp=650nm). Peteĩ corriente de conducción 20 mA reheve, pe flujo luminoso ha e mbovymi miles de lúmen añónte, upévagui osẽ peteĩ eficacia luminosa haimete 0,1 lúmen/vatio.
Ára 1970 mbytépe, oñemoĩvo elemento In ha N, umi LED ikatu ojapo tesape hovy (λp=555nm), hovy (λp=590nm), ha naranja (λp=610nm), ha oñemyatyrõ eficacia luminosa 1 lúmen/vatio peve.
Oñepyrũvo ary 1980, osê umi fuente de luz LED GaAlAs, ombohapéva umi LED pytã ohupyty haguã eficacia luminosa 10 lúmenes/vatios.
Oñepyrũvo ary 1990, ojejapo porã haguére mokõi mba’e pyahu-GaAlInP (omondóva tesape pytã ha hovy) ha GaInN (omondóva tesape hovy ha hovy)-tuicha omoporãve umi LED eficacia luminosa. Ary 2000-pe, peteĩha ojapo LED oguerekóva eficacia luminosa 100 lúmen por vatio región pytã ha naranja-pe (λp=615nm), ha mokõiha katu ojapo LED orekóva eficacia luminosa 50 lúmen por vatio región verde-pe (λp=530nm).
